据EE Times网站报道，GaN晶体管与二极管制造商Velox Semiconductor日前宣布，公司荣获美国商务部国家标准与技术研究院(National Institute of Standards and Technology，NIST)授予的先进技术计划（ATP）奖。

Velox因采用GaN-on-Si技术成功开发高电压（600与1200伏特）高电流（20与100安培）电子开关而获此殊荣。

公司将获得约328万美元的项目资金，其中包括为期两年200万美元的奖励基金及其他相关基金。这笔资金将大力促进Velox公司增强型场效应晶体管（FET）的研发。