非挥发性内存厂商美国Spansion将利用配备大容量闪存的SIM卡产品“HD-SIM”向市场发起攻势。该公司于2006年12月左右开始量产的HD-SIM第一代产品由闪存芯片、控制用逻辑芯片等不同芯片组成。之后，从2007年7月底该公司开始供应集成有闪存和控制用逻辑电路的单芯片产品的样品。Spansion负责SIM卡业务的Ozlem Ozturk（Director of Product Marketing，Consumer，Smart Card and Industrial Div.）就该公司今后的战略接受了采访。　　

　　问：SIM卡今后将怎样发展？

　　Ozturk：现行的手机SIM卡大多集成KB级EEPROM及ROM作为非挥发性内存。与此相比，HD-SIM集成了GB级和MB级闪存。这样，除了以往的认证信息外，SIM卡还将能够保存内容。

　　问：内容存储目前主要使用移动内存卡。使用SIM卡存储内容有哪些优点？

　　Ozturk：主要有三个特点。第一，从安全保护的观点来看，与移动内存卡相比，配备微处理器的SIM卡更具优势。第二，可移植性优良。由于移动内存卡有各种格式参数 ，因此容易受其制约。而把内容存储在SIM卡中就不存在这个问题。第三，使用SIM卡便于移动通信运营商直接访问内容。使用移动内存卡时，运营商无法直接直接访问。

　　问：我想就Spansion将于2007年7月开始样品供货的集成有闪存和逻辑电路的单芯片结构SIM卡产品问几个问题。与双芯片结构的传统产品相比，单芯片化能带来哪些好处？

　　Ozturk：首先，因为可以降低安装成本，所以便于进一步的低成本化。此外，能够使来往于闪存与逻辑电路之间的信号不容易被盗，在安全方面也非常优秀。

　　问：单芯片结构SIM卡产品今后的发展规划是什么？

　　Ozturk：2007年7月开始样品供货的第一代单芯片产品采用90nm工艺半导体技术制造。配备的闪存是基于我们的自主多bit化技术的数据存储用闪存——“MirrorBit ORNAND”。除了该闪存外，在同一芯片上还集成有CPU内核“SC100”和48KB RAM。用于数据存储的闪存部分最大为128MB。芯片的电源电压为3V。该产品将于2007年第四季度开始量产。另外，下一代产品计划使用45nm工艺半导体技术制造。45nm工艺产品中配备的数据存储用闪存“MirrorBit Eclipse”最大为512MB。45nm工艺的产品将在一个芯片上将集成CPU内核“SC100”和64KB RAM。备有3V和1.8V的电源电压。该45nm工艺SIM卡的样品供货将于2008年第四季度开始，量产供货将于2009年第一季度开始。