道康宁宣布其最新的低介电常数碳化硅与氢化碳氧化硅 (low-k SiC and H:SiOC) 薄膜制造方法已获得美国专利。这套方法采用PECVD 让含氧气体与带有应力硅键结的环硅烷化合物进行反应。该材料将应用于32nm及以下工艺。

晶片制造商近年来已开始利用低介电常数绝缘材料来减少电晶体间的电性干扰，以使这些电晶体的位置能够更靠近，进而制造出体积更小、速度更快和耗电更少的晶片。但随着半导体元件不断微缩，传统的低介电常数薄膜越来越容易受到制程高温破坏，而更难附着在晶片导线所用的金属层上。因此新材料的开发就成为了必须。