据电子资讯时报网站报道，全球4大NAND型闪存(Flash)制造厂三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)及IM Flash等，尽管已想尽办法全力解决50纳米世代工艺转换不顺、新工艺良率偏低问题，但经过逾1季至今仍是原地踏步，良率可说是丝毫未有提升，加上全球NAND Flash市场已进入需求旺季，下游客户端已提出警讯，未来6个月4大厂产能加总，扣除给予苹果(Apple)需求后，几乎可确定NAND Flash市场将出现比预期更严重的供不应求。

近3个月来，包括三星、东芝、海力士及IM Flash等NAND Flash制造厂，均卯足劲设法提升50纳米世代先进程制良率，而存储器业者如此积极抢进新工艺技术，最主要原因系看准一波波市场需求成长，为进一步藉由新工艺技术提高产能，并增进NAND Flash产品线获利。不过，4大NAND Flash厂却遭遇到50纳米世代工艺转换瓶颈，尤其至今已经过逾1季的全力改善，却仍无法将良率有效提升，可说是陷入原地踏步的窘境。

值得注意的是，全球NAND Flash总产出量无法快速拉升，如今又将进入市场需求旺季，尤其苹果iPhone及iPod对于NAND Flash需求与日俱增，以及年底圣诞节采购旺季跟著来到，全球NAND Flash需求在未来几个月内只增不减，供货缺口恐将愈益扩大。

存储器业者便大胆预期，未来几个月全球NAND Flash市场将因4大NAND Flash厂产能无法有效开出，在市场需求却是源源不绝开出情况下，势必将出现比预期还要严重的供不应求，而这亦促使多家市调机构近期纷预测，未来NAND Flash合约价将持续走扬，现货市场亦将因供应量明显萎缩，出现易涨难跌情况。

事实上，过去NAND Flash大厂在新世代工艺技术转换时，都会发生整体产能明显下降状况，不过，依照过去业者转换工艺经验来看，要将新世代工艺良率调到正常水平所需花费时间，顶多是1个多月左右，如今这4大NAND Flash制造厂却已花上逾1季时间，但生产线良率依然处于原地踏步阶段，难怪所有下游NAND Flash卡制造商均感到忧心忡忡，担心未来价格恐将逐步垫高。

此外，存储器业者亦透露，除因新工艺技术转换不顺、导致良率无法提高，进而影响到整体产出外，另一方面，由于新产出的NAND Flash颗粒属于新世代工艺技术产品，下游NAND Flash控制IC厂至今亦仍无法有效供应新工艺技术颗粒所需要的控制IC，这更进一步限制下游记忆卡厂商未来出货量能，并恐将形成另一个市场成长瓶颈。